
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥58.471859 | ¥58.47 |
| 10 | ¥49.030793 | ¥490.31 |
| 100 | ¥39.668166 | ¥3966.82 |
| 500 | ¥35.261099 | ¥17630.55 |
| 1000 | ¥30.192302 | ¥30192.30 |
| 2000 | ¥28.429304 | ¥56858.61 |
| 5000 | ¥27.274983 | ¥136374.92 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 115 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 56 nC
耗散功率 86 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 35 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 R6030KNX
单位重量 2 g
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0R6030KNXC7
型号:R6030KNXC7
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥58.471859 |
| 10+: | ¥49.030793 |
| 100+: | ¥39.668166 |
| 500+: | ¥35.261099 |
| 1000+: | ¥30.192302 |
| 2000+: | ¥28.429304 |
| 5000+: | ¥27.274983 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥58.47