
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥23.942422 | ¥23.94 |
| 10 | ¥15.107971 | ¥151.08 |
| 100 | ¥10.075518 | ¥1007.55 |
| 500 | ¥7.917062 | ¥3958.53 |
| 1000 | ¥7.222429 | ¥7222.43 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 104 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 10.8 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 13 ns
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 44 mg
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0CSD25404Q3
型号:CSD25404Q3
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥23.942422 |
| 10+: | ¥15.107971 |
| 100+: | ¥10.075518 |
| 500+: | ¥7.917062 |
| 1000+: | ¥7.222429 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥23.94