
货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ¥3.408741 | ¥852.19 |
| 500 | ¥2.917052 | ¥1458.53 |
| 1250 | ¥2.376245 | ¥2970.31 |
| 2500 | ¥2.236908 | ¥5592.27 |
| 6250 | ¥2.130401 | ¥13315.01 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.05 V
栅极电荷 1.02 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 945 ns
正向跨导(Min) 3.4 S
上升时间 428 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 1154 ns
典型接通延迟时间 474 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.300 mg
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0CSD25501F3T
型号:CSD25501F3T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 250+: | ¥3.408741 |
| 500+: | ¥2.917052 |
| 1250+: | ¥2.376245 |
| 2500+: | ¥2.236908 |
| 6250+: | ¥2.130401 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00