
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.332657 | ¥6.33 |
| 10 | ¥4.950987 | ¥49.51 |
| 100 | ¥2.967713 | ¥296.77 |
| 500 | ¥2.747223 | ¥1373.61 |
| 1000 | ¥1.868279 | ¥1868.28 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 55 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 8 nC
耗散功率 1.56 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.4 ns
上升时间 19.4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 45.9 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM650P03CX
单位重量 8 mg
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0TSM650P03CX RFG
型号:TSM650P03CX RFG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.332657 |
| 10+: | ¥4.950987 |
| 100+: | ¥2.967713 |
| 500+: | ¥2.747223 |
| 1000+: | ¥1.868279 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.33