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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 5.1 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 101 nC
耗散功率 7.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 283 ns
上升时间 168 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 310 ns
典型接通延迟时间 31 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SQ4153EY-T1_BE3
单位重量 750 mg
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0SQ4153EY-T1_GE3
型号:SQ4153EY-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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