货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥10.285525 | ¥10.29 |
10 | ¥9.176076 | ¥91.76 |
100 | ¥7.157108 | ¥715.71 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 3.6 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.05 V
栅极电荷 1.02 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 945 ns
正向跨导(Min) 3.4 S
上升时间 428 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 1154 ns
典型接通延迟时间 474 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.300 mg
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0CSD25501F3T
型号:CSD25501F3T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.285525 |
10+: | ¥9.176076 |
100+: | ¥7.157108 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.29