货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥88.975907 | ¥88.98 |
10 | ¥76.252602 | ¥762.53 |
100 | ¥63.543005 | ¥6354.30 |
500 | ¥56.067781 | ¥28033.89 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 31.2 A
漏源电阻 99 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 118 nC
耗散功率 277.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB65R110CFDA SP000896402
单位重量 4 g
购物车
0IPB65R110CFDAATMA1
型号:IPB65R110CFDAATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥88.975907 |
10+: | ¥76.252602 |
100+: | ¥63.543005 |
500+: | ¥56.067781 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥88.98