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起订量:10
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
10 | ¥1.063953 | ¥10.64 |
50 | ¥0.977692 | ¥48.88 |
200 | ¥0.905794 | ¥181.16 |
600 | ¥0.833908 | ¥500.34 |
1500 | ¥0.776397 | ¥1164.60 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.3 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
高度 1 mm
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN6075S-7
型号:DMN6075S-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
10+: | ¥1.063953 |
50+: | ¥0.977692 |
200+: | ¥0.905794 |
600+: | ¥0.833908 |
1500+: | ¥0.776397 |
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