
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥102.017592 | ¥102.02 |
| 10 | ¥87.429363 | ¥874.29 |
| 100 | ¥72.85685 | ¥7285.68 |
| 500 | ¥64.285943 | ¥32142.97 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 31.2 A
漏源电阻 99 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 118 nC
耗散功率 277.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 68 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB65R110CFDA SP000896402
单位重量 4 g
购物车
0IPB65R110CFDAATMA1
型号:IPB65R110CFDAATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥102.017592 |
| 10+: | ¥87.429363 |
| 100+: | ¥72.85685 |
| 500+: | ¥64.285943 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥102.02