
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.306482 | ¥919.45 |
| 6000 | ¥0.265145 | ¥1590.87 |
| 15000 | ¥0.219834 | ¥3297.51 |
| 30000 | ¥0.215975 | ¥6479.25 |
| 75000 | ¥0.193991 | ¥14549.32 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
典型关闭延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0BS870Q-7-F
型号:BS870Q-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.306482 |
| 6000+: | ¥0.265145 |
| 15000+: | ¥0.219834 |
| 30000+: | ¥0.215975 |
| 75000+: | ¥0.193991 |
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单价:¥0.00总价:¥0.00