
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.788359 | ¥3.79 |
| 10 | ¥2.318477 | ¥23.18 |
| 100 | ¥1.442607 | ¥144.26 |
| 500 | ¥1.058317 | ¥529.16 |
| 1000 | ¥0.933907 | ¥933.91 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 250 mA
漏源电阻 5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
典型关闭延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0BS870Q-7-F
型号:BS870Q-7-F
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.788359 |
| 10+: | ¥2.318477 |
| 100+: | ¥1.442607 |
| 500+: | ¥1.058317 |
| 1000+: | ¥0.933907 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.79