货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥4.797601 | ¥4.80 |
10 | ¥3.383572 | ¥33.84 |
100 | ¥1.710725 | ¥171.07 |
500 | ¥1.395346 | ¥697.67 |
1000 | ¥1.035272 | ¥1035.27 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12.3 nC
耗散功率 1.15 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 4.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
高度 1 mm
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 8 mg
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0DMN6075S-7
型号:DMN6075S-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.797601 |
10+: | ¥3.383572 |
100+: | ¥1.710725 |
500+: | ¥1.395346 |
1000+: | ¥1.035272 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.80