STB11NM80T4
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- 制造商编号：
- STB11NM80T4
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：1621
货期：（7~10天）
起订量：24
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 24 | ￥7.960498 | ￥191.05 |
| 50 | ￥7.642151 | ￥382.11 |
| 100 | ￥7.323638 | ￥732.36 |
| 300 | ￥7.005291 | ￥2101.59 |
| 500 | ￥6.686779 | ￥3343.39 |
| 1000 | ￥6.368432 | ￥6368.43 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STB11NM80T4
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
MDmesh™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
400mOhm @ 5.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
43.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1630pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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注
STB11NM80T4品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STB11NM80T4
型号：STB11NM80T4
品牌：ST
供货：锐单
库存：1621 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 24+： | ￥7.960498 |
| 50+： | ￥7.642151 |
| 100+： | ￥7.323638 |
| 300+： | ￥7.005291 |
| 500+： | ￥6.686779 |
| 1000+： | ￥6.368432 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00