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BS107PSTZ

DIODES(美台)
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制造商编号:
BS107PSTZ
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2000 2.541088 5082.18
6000 2.407374 14444.24
10000 2.228991 22289.91

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 200 V

漏极电流 120 mA

漏源电阻 15 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 -

耗散功率 500 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 1 N-Channel

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

类型 FET

单位重量 453.600 mg

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型号:BS107PSTZ

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2000+: ¥2.541088
6000+: ¥2.407374
10000+: ¥2.228991

货期:1-2天

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