货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2000 | ¥2.541088 | ¥5082.18 |
6000 | ¥2.407374 | ¥14444.24 |
10000 | ¥2.228991 | ¥22289.91 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 120 mA
漏源电阻 15 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
购物车
0BS107PSTZ
型号:BS107PSTZ
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2000+: | ¥2.541088 |
6000+: | ¥2.407374 |
10000+: | ¥2.228991 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00