货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.450692 | ¥1352.08 |
6000 | ¥0.418027 | ¥2508.16 |
9000 | ¥0.346709 | ¥3120.38 |
30000 | ¥0.34058 | ¥10217.40 |
75000 | ¥0.305894 | ¥22942.05 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 800 pC
耗散功率 920 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.3 ns
上升时间 2.99 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.45 ns
典型接通延迟时间 2.93 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0BSN20-7
型号:BSN20-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.450692 |
6000+: | ¥0.418027 |
9000+: | ¥0.346709 |
30000+: | ¥0.34058 |
75000+: | ¥0.305894 |
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