
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥29.136718 | ¥29.14 |
| 10 | ¥26.148062 | ¥261.48 |
| 100 | ¥21.421915 | ¥2142.19 |
| 500 | ¥18.235943 | ¥9117.97 |
| 1000 | ¥15.379688 | ¥15379.69 |
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 97 ns
典型接通延迟时间 24 ns
高度 20.3 mm
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 5.500 g
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0IXTQ36N30P
型号:IXTQ36N30P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥29.136718 |
| 10+: | ¥26.148062 |
| 100+: | ¥21.421915 |
| 500+: | ¥18.235943 |
| 1000+: | ¥15.379688 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥29.14