
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.305598 | ¥20.31 |
| 10 | ¥12.789497 | ¥127.89 |
| 100 | ¥8.463192 | ¥846.32 |
| 500 | ¥6.60326 | ¥3301.63 |
| 1000 | ¥6.004851 | ¥6004.85 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 120 mA
漏源电阻 15 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 453.600 mg
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0BS107PSTZ
型号:BS107PSTZ
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.305598 |
| 10+: | ¥12.789497 |
| 100+: | ¥8.463192 |
| 500+: | ¥6.60326 |
| 1000+: | ¥6.004851 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.31