
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.346355 | ¥1039.07 |
| 6000 | ¥0.311063 | ¥1866.38 |
| 9000 | ¥0.293069 | ¥2637.62 |
| 15000 | ¥0.272867 | ¥4093.01 |
| 21000 | ¥0.26087 | ¥5478.27 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.2 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.7 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS138N H6327 SP000919330
单位重量 8 mg
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0BSS138NH6327XTSA2
型号:BSS138NH6327XTSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.346355 |
| 6000+: | ¥0.311063 |
| 9000+: | ¥0.293069 |
| 15000+: | ¥0.272867 |
| 21000+: | ¥0.26087 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00