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ZXMN6A07FQTA

DIODES(美台)
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制造商编号:
ZXMN6A07FQTA
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 3.375231 3.38
10 2.86853 28.69
100 2.142563 214.26
500 1.683432 841.72
1000 1.300839 1300.84

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 1.4 A

漏源电阻 250 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 3.2 nC

耗散功率 806 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 2 ns

正向跨导(Min) 2.3 S

上升时间 1.4 ns

典型关闭延迟时间 4.9 ns

典型接通延迟时间 1.8 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg

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ZXMN6A07FQTA

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型号:ZXMN6A07FQTA

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥3.375231
10+: ¥2.86853
100+: ¥2.142563
500+: ¥1.683432
1000+: ¥1.300839

货期:1-2天

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