货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.375231 | ¥3.38 |
10 | ¥2.86853 | ¥28.69 |
100 | ¥2.142563 | ¥214.26 |
500 | ¥1.683432 | ¥841.72 |
1000 | ¥1.300839 | ¥1300.84 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 806 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 2.3 S
上升时间 1.4 ns
典型关闭延迟时间 4.9 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXMN6A07FQTA
型号:ZXMN6A07FQTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.375231 |
10+: | ¥2.86853 |
100+: | ¥2.142563 |
500+: | ¥1.683432 |
1000+: | ¥1.300839 |
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单价:¥0.00总价:¥3.38