
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥50.718266 | ¥50.72 |
| 10 | ¥45.589771 | ¥455.90 |
| 25 | ¥43.09636 | ¥1077.41 |
| 100 | ¥34.477087 | ¥3447.71 |
| 250 | ¥32.561128 | ¥8140.28 |
| 500 | ¥30.645734 | ¥15322.87 |
| 1000 | ¥26.24047 | ¥26240.47 |
| 2500 | ¥25.857392 | ¥64643.48 |
| 5000 | ¥23.559059 | ¥117795.30 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 170 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 59.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 34 ns
晶体管类型 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 11 ns
产品种类 MOSFET
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB190CF
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0TSM60NB190CF C0G
型号:TSM60NB190CF C0G
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥50.718266 |
| 10+: | ¥45.589771 |
| 25+: | ¥43.09636 |
| 100+: | ¥34.477087 |
| 250+: | ¥32.561128 |
| 500+: | ¥30.645734 |
| 1000+: | ¥26.24047 |
| 2500+: | ¥25.857392 |
| 5000+: | ¥23.559059 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥50.72