
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.178903 | ¥9.18 |
| 10 | ¥6.517021 | ¥65.17 |
| 100 | ¥4.438001 | ¥443.80 |
| 500 | ¥3.279317 | ¥1639.66 |
| 1000 | ¥2.945357 | ¥2945.36 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 806 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 2.3 S
上升时间 1.4 ns
典型关闭延迟时间 4.9 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0ZXMN6A07FQTA
型号:ZXMN6A07FQTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.178903 |
| 10+: | ¥6.517021 |
| 100+: | ¥4.438001 |
| 500+: | ¥3.279317 |
| 1000+: | ¥2.945357 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.18