货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥35.762262 | ¥35.76 |
10 | ¥30.017873 | ¥300.18 |
100 | ¥24.284696 | ¥2428.47 |
500 | ¥21.586452 | ¥10793.23 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 87 nC
耗散功率 167 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 76 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB031N08N5 SP001227048
单位重量 4 g
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0IPB031N08N5ATMA1
型号:IPB031N08N5ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥35.762262 |
10+: | ¥30.017873 |
100+: | ¥24.284696 |
500+: | ¥21.586452 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥35.76