NVMFS6D1N08HT1G
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货期： 8周-10周
起订量：1500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1500 | ￥9.056517 | ￥13584.78 |
| 3000 | ￥8.455606 | ￥25366.82 |
| 4500 | ￥8.253211 | ￥37139.45 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 89 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 39 ns
正向跨导（Min） 80 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 48 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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注
NVMFS6D1N08HT1G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NVMFS6D1N08HT1G
数据手册PDF。
NVMFS6D1N08HT1G
型号：NVMFS6D1N08HT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1500+： | ￥9.056517 |
| 3000+： | ￥8.455606 |
| 4500+： | ￥8.253211 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00