
货期:国内(1~3工作日)
起订量:8000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 8000 | ¥0.379218 | ¥3033.74 |
| 16000 | ¥0.337083 | ¥5393.33 |
| 24000 | ¥0.316045 | ¥7585.08 |
| 56000 | ¥0.280227 | ¥15692.71 |
| 200000 | ¥0.269678 | ¥53935.60 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 500 mA
漏源电阻 630 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 5 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 1.23 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 0.5 mm
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1.500 mg
购物车
0SSM3K36MFV,L3F
型号:SSM3K36MFV,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 8000+: | ¥0.379218 |
| 16000+: | ¥0.337083 |
| 24000+: | ¥0.316045 |
| 56000+: | ¥0.280227 |
| 200000+: | ¥0.269678 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00