
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥2.057293 | ¥6171.88 |
| 6000 | ¥1.915382 | ¥11492.29 |
| 15000 | ¥1.844426 | ¥27666.39 |
| 30000 | ¥1.77353 | ¥53205.90 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 750 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 12.2 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 4.5 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3437DV-T1-BE3 SI3437DV-E3
单位重量 20 mg
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0SI3437DV-T1-E3
型号:SI3437DV-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥2.057293 |
| 6000+: | ¥1.915382 |
| 15000+: | ¥1.844426 |
| 30000+: | ¥1.77353 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00