
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.850996 | ¥19.85 |
| 10 | ¥12.531888 | ¥125.32 |
| 100 | ¥8.284381 | ¥828.44 |
| 500 | ¥6.459302 | ¥3229.65 |
| 1000 | ¥5.871653 | ¥5871.65 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 750 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 12.2 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 4.5 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3437DV-T1-BE3 SI3437DV-E3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3437DV-T1-E3
型号:SI3437DV-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.850996 |
| 10+: | ¥12.531888 |
| 100+: | ¥8.284381 |
| 500+: | ¥6.459302 |
| 1000+: | ¥5.871653 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.85