货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.17801 | ¥6.18 |
10 | ¥5.041256 | ¥50.41 |
100 | ¥3.436208 | ¥343.62 |
500 | ¥2.576971 | ¥1288.49 |
1000 | ¥1.932727 | ¥1932.73 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导(Min) 4.8 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 25 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 120 mg
购物车
0SI8821EDB-T2-E1
型号:SI8821EDB-T2-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.17801 |
10+: | ¥5.041256 |
100+: | ¥3.436208 |
500+: | ¥2.576971 |
1000+: | ¥1.932727 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.18