SI8821EDB-T2-E1
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- 制造商编号：
- SI8821EDB-T2-E1
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT
- 渠道：
- digikey
库存 ：3000
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 105 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 900 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 4.8 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 120 mg
SI8821EDB-T2-E1 同类别型号
注
SI8821EDB-T2-E1品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
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数据手册PDF。
SI8821EDB-T2-E1
型号：SI8821EDB-T2-E1
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：3000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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