STP33N60DM2
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- 制造商编号：
- STP33N60DM2
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 24A
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.464896 | ￥25.46 |
| 50 | ￥20.192028 | ￥1009.60 |
| 100 | ￥17.307368 | ￥1730.74 |
| 500 | ￥15.384536 | ￥7692.27 |
| 1000 | ￥13.173003 | ￥13173.00 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STP33N60DM2
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 24A
包装
Tube
系列
MDmesh™ DM2
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
130mOhm @ 12A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
43nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1870pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
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注
STP33N60DM2品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STP33N60DM2
数据手册PDF。
STP33N60DM2
型号：STP33N60DM2
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.464896 |
| 50+： | ￥20.192028 |
| 100+： | ￥17.307368 |
| 500+： | ￥15.384536 |
| 1000+： | ￥13.173003 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.46