货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥6.340537 | ¥15851.34 |
5000 | ¥6.105718 | ¥30528.59 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 10.2 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 106 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 2.39 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0FCD380N60E
型号:FCD380N60E
品牌:ON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥6.340537 |
5000+: | ¥6.105718 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00