货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥3.207874 | ¥801.97 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 230 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 850 mV
栅极电荷 1.01 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.4 ns
正向跨导(Min) 2.4 S
上升时间 1.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.6 ns
典型接通延迟时间 3.3 ns
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
购物车
0CSD17483F4T
型号:CSD17483F4T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥3.207874 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00