SISH110DN-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SISH110DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V PPAK 1212-8SH
- 渠道：
- digikey
库存 ：6050
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.109 | ￥21.11 |
| 10 | ￥18.813927 | ￥188.14 |
| 25 | ￥17.850563 | ￥446.26 |
| 100 | ￥13.387923 | ￥1338.79 |
| 250 | ￥13.260419 | ￥3315.10 |
| 500 | ￥11.347858 | ￥5673.93 |
| 1000 | ￥9.244042 | ￥9244.04 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 21.1 A
漏源电阻 5.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 3.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 71 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间 36 ns
典型接通延迟时间 12 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
SISH110DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISH110DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SISH110DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISH110DN-T1-GE3
型号：SISH110DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：6050 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.109 |
| 10+： | ￥18.813927 |
| 25+： | ￥17.850563 |
| 100+： | ￥13.387923 |
| 250+： | ￥13.260419 |
| 500+： | ￥11.347858 |
| 1000+： | ￥9.244042 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.11