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制造商 Toshiba
商标名 MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 4.3 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 100 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 77 mS
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 251 ns
典型接通延迟时间 175 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.500 mg
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0SSM3J35CT,L3F
型号:SSM3J35CT,L3F
品牌:Toshiba
供货:锐单
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