货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥60.123636 | ¥60.12 |
10 | ¥44.320146 | ¥443.20 |
100 | ¥31.695712 | ¥3169.57 |
500 | ¥26.132212 | ¥13066.11 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 1.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 275 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 99 S
上升时间 80 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 41 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB017N06N3 G SP000434404
单位重量 1.600 g
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0IPB017N06N3GATMA1
型号:IPB017N06N3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥60.123636 |
10+: | ¥44.320146 |
100+: | ¥31.695712 |
500+: | ¥26.132212 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥60.12