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制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 4.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 1 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 2.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.1 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS7728N H6327 SP000929184
单位重量 8 mg
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0BSS7728NH6327XTSA2
型号:BSS7728NH6327XTSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
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