
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.381377 | ¥1144.13 |
| 6000 | ¥0.36464 | ¥2187.84 |
| 9000 | ¥0.315379 | ¥2838.41 |
| 30000 | ¥0.309465 | ¥9283.95 |
| 75000 | ¥0.256242 | ¥19218.15 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 330 mA
漏源电阻 1.31 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 190 mS
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 90 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6.600 mg
购物车
0SSM3J36TU,LF
型号:SSM3J36TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.381377 |
| 6000+: | ¥0.36464 |
| 9000+: | ¥0.315379 |
| 30000+: | ¥0.309465 |
| 75000+: | ¥0.256242 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00