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SIHF22N60E-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIHF22N60E-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 27.930544 27.93
10 23.460217 234.60
100 18.976213 1897.62
500 16.867746 8433.87
1000 14.442971 14442.97

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 21 A

漏源电阻 180 mOhms

栅极电压 - 30 V, + 30 V

栅源极阈值电压 4 V

栅极电荷 57 nC

耗散功率 35 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 35 ns

上升时间 27 ns

典型关闭延迟时间 66 ns

典型接通延迟时间 18 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

产品类型 MOSFET

单位重量 2 g

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SIHF22N60E-GE3

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型号:SIHF22N60E-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥27.930544
10+: ¥23.460217
100+: ¥18.976213
500+: ¥16.867746
1000+: ¥14.442971

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