货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥27.930544 | ¥27.93 |
10 | ¥23.460217 | ¥234.60 |
100 | ¥18.976213 | ¥1897.62 |
500 | ¥16.867746 | ¥8433.87 |
1000 | ¥14.442971 | ¥14442.97 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 27 ns
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHF22N60E-GE3
型号:SIHF22N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥27.930544 |
10+: | ¥23.460217 |
100+: | ¥18.976213 |
500+: | ¥16.867746 |
1000+: | ¥14.442971 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥27.93