
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥16.096575 | ¥16.10 |
| 50 | ¥12.747545 | ¥637.38 |
| 100 | ¥10.926214 | ¥1092.62 |
| 500 | ¥10.686829 | ¥5343.41 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 27 ns
典型关闭延迟时间 66 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0SIHF22N60E-GE3
型号:SIHF22N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥16.096575 |
| 50+: | ¥12.747545 |
| 100+: | ¥10.926214 |
| 500+: | ¥10.686829 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.10