货期:国内(1~3工作日)
起订量:250
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
250 | ¥3.802033 | ¥950.51 |
500 | ¥3.293992 | ¥1647.00 |
1250 | ¥2.80337 | ¥3504.21 |
2500 | ¥2.496732 | ¥6241.83 |
6250 | ¥2.365294 | ¥14783.09 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 1.07 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 960 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 1.4 S
上升时间 3.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17.4 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD25483F4T
型号:CSD25483F4T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
250+: | ¥3.802033 |
500+: | ¥3.293992 |
1250+: | ¥2.80337 |
2500+: | ¥2.496732 |
6250+: | ¥2.365294 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00