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SI7613DN-T1-GE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SI7613DN-T1-GE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
渠道:
digikey

库存 :52805

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 13.004022 13.00
10 11.665745 116.66
100 9.091453 909.15
500 7.510518 3755.26
1000 5.929456 5929.46

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 20 V

漏极电流 35 A

漏源电阻 14 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 16 V

栅源极阈值电压 2.2 V

栅极电荷 87 nC

耗散功率 52.1 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.04 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7613DN-GE3

单位重量 1 g

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SI7613DN-T1-GE3

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型号:SI7613DN-T1-GE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:52805 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥13.004022
10+: ¥11.665745
100+: ¥9.091453
500+: ¥7.510518
1000+: ¥5.929456

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