
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5.158672 | ¥5.16 |
| 10 | ¥3.596741 | ¥35.97 |
| 100 | ¥1.815566 | ¥181.56 |
| 500 | ¥1.48054 | ¥740.27 |
| 1000 | ¥1.098511 | ¥1098.51 |
制造商 Toshiba
商标名 MOSIII
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 330 mA
漏源电阻 1.31 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1.2 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 190 mS
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 90 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6.600 mg
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0SSM3J36TU,LF
型号:SSM3J36TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5.158672 |
| 10+: | ¥3.596741 |
| 100+: | ¥1.815566 |
| 500+: | ¥1.48054 |
| 1000+: | ¥1.098511 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5.16