CSD17318Q2
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- 制造商编号：
- CSD17318Q2
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 30V N CH MOSFET
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.817588 | ￥2452.76 |
| 6000 | ￥0.753191 | ￥4519.15 |
| 9000 | ￥0.720109 | ￥6480.98 |
| 15000 | ￥0.682796 | ￥10241.94 |
| 21000 | ￥0.660637 | ￥13873.38 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 16.9 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 16 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导（Min） 42 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 5 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 5.500 mg
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注
CSD17318Q2品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、CSD17318Q2
数据手册PDF
。
CSD17318Q2
型号：CSD17318Q2
品牌：TI
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.817588 |
| 6000+： | ￥0.753191 |
| 9000+： | ￥0.720109 |
| 15000+： | ￥0.682796 |
| 21000+： | ￥0.660637 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00