货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥11.318838 | ¥11.32 |
10 | ¥9.838681 | ¥98.39 |
100 | ¥6.812448 | ¥681.24 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 1.07 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 960 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 1.4 S
上升时间 3.7 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 17.4 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD25483F4T
型号:CSD25483F4T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.318838 |
10+: | ¥9.838681 |
100+: | ¥6.812448 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.32