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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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3000 | ¥0.432534 | ¥1297.60 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 50 V
漏极电流 160 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 295 pC
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 180 mS
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.75 mm
长度 1.6 mm
宽度 0.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
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0DMN55D0UT-7
型号:DMN55D0UT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.432534 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00