货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.919372 | ¥6.92 |
10 | ¥5.967958 | ¥59.68 |
100 | ¥4.45311 | ¥445.31 |
500 | ¥3.498485 | ¥1749.24 |
1000 | ¥2.703374 | ¥2703.37 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 10.2 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 11.2 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
购物车
0CSD13306W
型号:CSD13306W
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.919372 |
10+: | ¥5.967958 |
100+: | ¥4.45311 |
500+: | ¥3.498485 |
1000+: | ¥2.703374 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.92