货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.466774 | ¥1400.32 |
6000 | ¥0.433026 | ¥2598.16 |
9000 | ¥0.35904 | ¥3231.36 |
30000 | ¥0.352694 | ¥10580.82 |
75000 | ¥0.316783 | ¥23758.72 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 3.5 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 -
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RE1C001UN
单位重量 2.400 mg
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0RE1C001UNTCL
型号:RE1C001UNTCL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.466774 |
6000+: | ¥0.433026 |
9000+: | ¥0.35904 |
30000+: | ¥0.352694 |
75000+: | ¥0.316783 |
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