货期:(7~10天)
起订量:70
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
70 | ¥2.380478 | ¥166.63 |
100 | ¥2.380478 | ¥238.05 |
300 | ¥2.082955 | ¥624.89 |
500 | ¥1.983732 | ¥991.87 |
1000 | ¥1.983732 | ¥1983.73 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.5 A
漏源电阻 10.2 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 11.2 nC
耗散功率 1.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 mg
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0CSD13306W
型号:CSD13306W
品牌:TI
供货:锐单
单价:
70+: | ¥2.380478 |
100+: | ¥2.380478 |
300+: | ¥2.082955 |
500+: | ¥1.983732 |
1000+: | ¥1.983732 |
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