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CSD13306W

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD13306W
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 12V 3.5A
渠道:
digikey

库存 :1373

货期:(7~10天)

起订量:70

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
70 2.380478 166.63
100 2.380478 238.05
300 2.082955 624.89
500 1.983732 991.87
1000 1.983732 1983.73

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 12 V

漏极电流 3.5 A

漏源电阻 10.2 mOhms

栅极电压 - 10 V, + 10 V

栅源极阈值电压 700 mV

栅极电荷 11.2 nC

耗散功率 1.9 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

晶体管类型 1 N-Channel

外形参数

高度 0.62 mm

长度 1.5 mm

宽度 1 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 1.700 mg

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CSD13306W

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型号:CSD13306W

品牌:TI

供货:锐单

库存:1373 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

70+: ¥2.380478
100+: ¥2.380478
300+: ¥2.082955
500+: ¥1.983732
1000+: ¥1.983732

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