货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥14.895285 | ¥14895.28 |
2000 | ¥14.025491 | ¥28050.98 |
5000 | ¥13.45597 | ¥67279.85 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 286 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 119 ns
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 146 ns
典型接通延迟时间 32 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB180P04P4L-02 SP000709460
单位重量 1.600 g
购物车
0IPB180P04P4L02ATMA1
型号:IPB180P04P4L02ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥14.895285 |
2000+: | ¥14.025491 |
5000+: | ¥13.45597 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00