货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥28.029923 | ¥28.03 |
10 | ¥25.184027 | ¥251.84 |
25 | ¥23.811133 | ¥595.28 |
100 | ¥19.048907 | ¥1904.89 |
250 | ¥17.990634 | ¥4497.66 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 21 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB22N60E-GE3
型号:SIHB22N60E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥28.029923 |
10+: | ¥25.184027 |
25+: | ¥23.811133 |
100+: | ¥19.048907 |
250+: | ¥17.990634 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.03