
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥63.48741 | ¥63.49 |
| 10 | ¥41.779305 | ¥417.79 |
| 100 | ¥29.487225 | ¥2948.72 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 5 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 286 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 119 ns
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 146 ns
典型接通延迟时间 32 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB180P04P4L-02 SP000709460
单位重量 1.600 g
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0IPB180P04P4L02ATMA1
型号:IPB180P04P4L02ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥63.48741 |
| 10+: | ¥41.779305 |
| 100+: | ¥29.487225 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥63.49