货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥32.25849 | ¥32.26 |
10 | ¥27.062099 | ¥270.62 |
100 | ¥21.892713 | ¥2189.27 |
500 | ¥19.460189 | ¥9730.09 |
1000 | ¥16.662751 | ¥16662.75 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 180 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns
典型接通延迟时间 58 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK17E80W,S1X
型号:TK17E80W,S1X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥32.25849 |
10+: | ¥27.062099 |
100+: | ¥21.892713 |
500+: | ¥19.460189 |
1000+: | ¥16.662751 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥32.26